"رینڈم ایکسس میموری" کے نسخوں کے درمیان فرق

حذف شدہ مندرجات اضافہ شدہ مندرجات
اضافہ سانچہ/سانچہ جات
سطر 1:
[[تصویر:Memory_module_DDRAM_20Elixir M2U51264DS8HC3G-03-20065T 20060320.jpg|left|thumb|تصادفی رسائی یادداشتہ کی مثال.]]
تصادفی رسائی سٹوریج <small>(یادداشت)</small>، ذخیرۂ شمارندی مواد ( Data Storing )کی ایک مثال ہے.آجکل یہ [[مختصر برقیاتی دور|مختصر برقیاتی دور (Integrated Circuit)]] کی شکل اِختیار کرچکا ہے جس سے اِس میں موجود شمارِندی مواد تک بے ترتیبی کی حالت میں رسائی حاصل کی جاسکتی ہے. چنانچہ لفظ [[بے ترتیبی|بے ترتیبی یا بے قاعدگی (Random)]] اِس بات کی نشاندہی کرتی ہے کہ مواد(DATA )کے کسی بھی ٹکڑے تک کسی بھی وقت رسائی حاصل کی جاسکتی ہے اِس بات کی پروا کئے بغیر کہ آیا اِس ٹکڑے یا حصۂ(Part )کا تعلق پچھلے موادی ٹکڑے( Access Randomly )سے ہے یا نہیں.<br />
یہ عموماً [[طیار|طیران پزیر (Volatile)]] قسم کے یادداشتوں سے مربوط ہے جیسا کہ [[حرکی تصادفی تقربی یادداشتہ|حرکی تصادفی رسائی سٹوریج( بدلنے والا ڈیٹا)(Dynamic Random Access Memory)]]، جہاں معلومات اُس وقت ختم ہوجاتی ہیں جب بجلی کی فراہمی معطّل کردی جاتی ہے. یعنی اِس قسم کے یادداشتوں میں معلومات یا مواد اُس وقت تک ذخیرہ کیا جاسکتا ہے جب تک بجلی اُن کو فراہم کی جارہی ہو. ان ریمز کا ڈیٹا کی رفتار یعنی بس سپیڈ ( Bus Speedکا فرق ہے۔. تاہم، تصادفی تقربی یادداشتہ کی کئی اور اقسام بھی ہیں جیسا کہ رَوم (ROM) اور فلَیش یادداشتہ کی ایک قسم جسے [[نار فلَیش|نار فلَیش (NOR-Flash)]] کہاجاتا ہے. RAMکے کئی ماڈل آئے ہیں۔