"ڈائیوڈ" کے نسخوں کے درمیان فرق
حذف شدہ مندرجات اضافہ شدہ مندرجات
شہاب (تبادلۂ خیال | شراکتیں) کوئی خلاصۂ ترمیم نہیں |
شہاب (تبادلۂ خیال | شراکتیں) کوئی خلاصۂ ترمیم نہیں |
||
سطر 1:
ڈائیوڈ (diode) دو سروں (pins) والے ایسے الیکٹرونک
ڈائیوڈ [[نیم موصل]]وں سے بنے ہوتے ہیں۔ ان میں P اور N قسم کے مادے کا ایک جنکشن ہوتا ہے۔ زیادہ تر ڈائیوڈ [[سیلیکون]] [[Silicon]] سے بنے ہوتے ہیں۔ کچھ ڈائیوڈ [[جرمینیئم]] سے بھی بنتے ہیں۔ آج بھی [[پارہ|پارے]] سے بھرے [[ویکیوم ٹیوب]] کے ڈائیوڈ بھاری کرنٹ کے لیے صنعتی استعمال میں آتے ہیں۔<br>
سلیکون سے بنے ڈائیوڈ لگ بھگ 0.7 وولٹ سے کم وولٹیج پر کام نہیں کرتے۔ جرمینیئم سے بنے ڈائیوڈ لگ بھگ 0.3 وولٹ سے کم وولٹیج پر کام نہیں
[[تصویر:Diode-IV-Curve.svg|thumb|240px|frame|بائیں| PN جنکشن پر [[وولٹیج]] اور [[کرنٹ]] کا تعلق۔]]
سطر 20:
[[تصویر:Varicap symbol.svg|100px|تصغیر|Varicap]]
[[تصویر:SCR symbol.svg|100px|تصغیر|Silicon controlled rectifier, a triode]]
[[Image:Diode mosfet.svg|thumb|250px|ایک ڈائی اوڈ (نیلی لکیر) اور ایک موسفیٹ ٹرانزسٹر (نارنجی لکیر) میں سے گزرنے والا کرنٹ۔ بہت زیادہ کرنٹ پر ڈائیوڈ کم گرم ہوتے ہیں جبکہ کم کرنٹ پر موسفیٹ کم گرم ہوتے ہیں۔ اگر موسفیٹ کو متوازی (parallel) استعمال کیا جائے (جامنی لکیر) تو ان کا گرم ہونا اور بھی کم ہو جاتا ہے جبکہ ڈائیوڈ متوازی استعمال کرنے پر بھی حرارت کا اخراج کم نہیں ہوتا۔]]
== مزید دیکھیے ==
سطر 32:
Image:Transient voltage suppression diode symbol.svg|<!--[[Transient-voltage-suppression diode|Transient Voltage Suppression]] (TVS)-->
</gallery>
==حوالہ جات==
[[زمرہ:1904ء کی متعارفات]]
|