"محمد محمد عطااللہ" کے نسخوں کے درمیان فرق

موسفٹ(MOSFET) کی ان کی ایجادات کو ابتدا میں بیل پر نظر انداز کیا گیا ، جس کی وجہ سے وہ بیل سے استعفیٰ دے گئے اور ہیولٹ پیکارڈ (HP) میں شامل ہوگئے ، 1966 میں اس کے سیمیکمڈکٹر لیب اور پھر 1966 میں ایچ پی لیب کی بنیاد رکھی ، اس سے قبل فیئرچلڈ سیمیکمڈکٹر میں شامل ہونے سے پہلے مائکروویو کو ڈھونڈ لیا۔ 1969 میں اوپٹو الیکٹرانکس ڈویژن۔ ایچ پی اور فیئرچائڈ میں ان کے کام میں اسکاٹکی ڈایڈڈ ، گیلیم آرسنائڈ (گا اے) ، گیلیم آرسنائڈ فاسفائڈ (گا اے ایس پی) ، انڈیم آرسنائڈ (آئ اے این ایس) اور لائٹ ایمیٹنگ ڈایڈڈ (ایل ای ڈی) ٹیکنالوجیز شامل ہیں۔ بعد میں اس نے سیمیکمڈکٹر انڈسٹری چھوڑ دی ، اور [[رمز نگاری]] اور ڈیٹا سیکیورٹی میں ایک کاروباری بن گیا۔ 1972 میں ، اس نے اٹلاعطااللہ کارپوریشن کی بنیاد رکھی ، اور دور دراز کے ذاتی شناختی نمبر (پن) سیکیورٹی سسٹم کے لئے [[براءت|پیٹنٹ]] دائر کیا۔ 1973 میں ، اس نے پہلا ہارڈ ویئر سیکیورٹی ماڈیول جاری کیا ، "اٹلاعطااللہ باکس" جس نے پن اور [[اے ٹی ایم]] پیغامات کو [[صفریت|خفیہ کیا تھا]] ، اور دنیا کے بیشتر اے ٹی ایم ٹرانزیکشنز کو محفوظ بنانے کے لئے آگے بڑھا تھا۔ بعد میں اس نے 1990 کی دہائی میں انٹرنیٹ سیکیورٹی کمپنی ٹری اسٹراٹا سیکیورٹی کی بنیاد رکھی۔ سائبر سکیورٹی کے ساتھ ساتھ انفارمیشن سیکیورٹی مینجمنٹ کے پن نظام پر ان کے کام کے اعتراف میں ، اٹلاعطااللہ کو "پن کا باپ" اور انفارمیشن سیکیورٹی کا سرخیل کہا جاتا ہے۔ 30 دسمبر ، 2009 کو ان کی موت [[کیلیفورنیا|کیلیفورنیا کے]] [[آتھرتن، کیلیفورنیا|اطہرٹن]] میں ہوئی۔

[[پرڈیو یونیورسٹی|پرڈو یونیورسٹی]] میں پی ایچ ڈی کرنے کے بعد ، عطا اللہ کو 1949 میں بیل ٹیلیفون لیبارٹریز (بی ٹی ایل) میں ملازمت ملی۔ <ref name="atalla">{{حوالہ ویب|title=Martin (John) M. Atalla|publisher=[[National Inventors Hall of Fame]]|year=2009|url=https://www.invent.org/inductees/martin-john-m-atalla|accessdate=21 June 2013}}</ref> 1950 میں ، اس نے بیل کے [[نیو یارک شہر|نیو یارک سٹی]] آپریشنوں میں کام کرنا شروع کیا ، جہاں اس نے الیکٹرو مکینیکل ریلے کی وشوسنییتا سے متعلق مسائل پر کام کیا ، <ref name="Bassett22">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA22|title=To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology|last=Bassett|first=Ross Knox|date=2007|publisher=[[Johns Hopkins University Press]]|isbn=9780801886393|pages=22–23}}</ref> اور سرکٹ سے تبدیل ٹیلیفون نیٹ ورکس پر کام کیا۔ [[ٹرانزسٹر|ٹرانجسٹروںٹرانزسٹروں کے]] ظہور کے ساتھ ، عطا اللہکو مرے ہل لیب میں منتقل کردیا گیا ، جہاں انہوں نے 1956 میں ایک چھوٹی ٹرانجسٹر ریسرچ ٹیم کی رہنمائی کرنا شروع کردی۔ [[میکانکی انجینئری|مکینیکل انجینئرنگ کے]] پس منظر سے آنے اور [[طبیعی کیمیاء|جسمانی کیمسٹری]] میں باقاعدہ تعلیم نہ ہونے کے باوجود ، اس نے خود کو جسمانی کیمسٹری اور [[نیم موصل|سیمیکمڈکٹر طبیعیات]] میں ایک تیز سیکھنے والا ثابت کیا ، بالآخر ان شعبوں میں اعلی سطح کی مہارت کا مظاہرہ کیا۔ <ref name="Moskowitz">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=2STRDAAAQBAJ&pg=PA165|title=Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century|last=Moskowitz|first=Sanford L.|date=2016|publisher=[[John Wiley & Sons]]|isbn=9780470508923|pages=165–167}}</ref> انہوں نے دیگر چیزوں کے علاوہ ، سلکان [[نیم موصل|سیمکمڈکٹرس کی]] سطحی خصوصیات اور سلیکن سیمیکمڈکٹر آلات کی حفاظتی پرت کے طور پر سلیکا کے استعمال کی تحقیق کی۔ آخر کار اس نے اپنے پیشہ ورانہ کیریئر کے لئے عرف [[عرف|تخلص]] "مارٹن" ایم عطا اللہیا "جان" ایم عطا اللہکو اپنایا۔ <ref name="Lojek-name">{{حوالہ کتاب|url=https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697|title=History of Semiconductor Engineering|last=Lojek|first=Bo|date=2007|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540342588|pages=[https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697/page/n128 120]& 321|quote=Hoerni also attended a meeting of the Electrochemical Society in 1958, where Mohamed “John” Atalla presented a paper about passivation of PN junctions by oxide. [...] Mohamed M. Atalla, alias Martin or John Atalla, graduated from Cairo University in Egypt and for his master and doctorate degrees he attended Purdue University.|url-access=limited}}</ref>

1956 اور 1960 کے درمیان ، اٹلاعطااللہ نے بی ٹی ایل کے متعدد محققین کی ایک چھوٹی سی ٹیم کی قیادت کی ، جس میں آئیلین ٹیننبام ، ایڈون جوزف شیئبنر اور ڈاون کاہنگ شامل ہیں۔ <ref name="Huff">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=SnQfAQAAIAAJ&pg=PA181|title=Silicon Materials Science and Technology: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology|last=Huff|first=Howard R.|last2=Tsuya|first2=H.|last3=Gösele|first3=U.|date=1998|publisher=[[Electrochemical Society]]|pages=181–182}}</ref> وہ خود ہی کی طرح بی ٹی ایل میں بھی نئی بھرتیاں کرتے تھے ، ٹیم میں سینئر محققین نہیں تھے۔ ابتدائی طور پر ان کے کام کو بی ٹی ایل اور اس کے مالک [[اے ٹی اینڈ ٹی]] میں سینئر مینجمنٹ نے سنجیدگی سے نہیں لیا تھا ، اس وجہ سے ٹیم نئی بھرتیاں کرنے والی ٹیم کی وجہ سے تھی ، اور خود ٹیم لیڈر اٹالہ خود میکانیکل انجینئرنگ کے پس منظر سے آئے تھے ، اس کے برعکس [[طبیعیات دان|طبیعیات]] ، [[طبیعی کیمیاء|جسمانی کیمسٹ]] اور [[ریاضی|ریاضی دان]] جنھیں زیادہ سنجیدگی سے لیا گیا ، اس کے باوجود اٹالہ جسمانی کیمسٹری اور سیمیکمڈکٹر طبیعیات میں اعلی درجے کی مہارت کا مظاہرہ کررہا تھا۔ <ref name="Moskowitz">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=2STRDAAAQBAJ&pg=PA165|title=Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century|last=Moskowitz|first=Sanford L.|date=2016|publisher=[[John Wiley & Sons]]|isbn=9780470508923|pages=165–167}}</ref>

زیادہ تر خود کام کرنے کے باوجود ، <ref name="Moskowitz">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=2STRDAAAQBAJ&pg=PA165|title=Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century|last=Moskowitz|first=Sanford L.|date=2016|publisher=[[John Wiley & Sons]]|isbn=9780470508923|pages=165–167}}</ref> اٹلاعطااللہ اور ان کی ٹیم نے سیمیکمڈکٹر ٹکنالوجی میں نمایاں پیشرفت کی۔ <ref name="Huff">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=SnQfAQAAIAAJ&pg=PA181|title=Silicon Materials Science and Technology: Proceedings of the Eighth International Symposium on Silicon Materials Science and Technology|last=Huff|first=Howard R.|last2=Tsuya|first2=H.|last3=Gösele|first3=U.|date=1998|publisher=[[Electrochemical Society]]|pages=181–182}}</ref> فیئرچلڈ سیمیکمڈکٹر انجینئر چیہ -تانگ ساہ کے مطابق ، 1956 {{Ndash}} 1960 کے دوران اٹلاعطااللہ اور ان کی ٹیم کا کام سلیکون سیمیکمڈکٹر ٹیکنالوجی میں "سب سے اہم اور اہم ٹکنالوجی ایڈوانس" تھا ، ٹرانجسٹروںٹرانزسٹروں کی تاریخ سمیت اور مائیکرو الیکٹرانکس ۔

اٹلاعطااللہ کی تحقیق کی ابتدائی توجہ سلکان سطح کی ریاستوں کے مسئلے کو حل کرنا تھا۔ اس وقت ، [[جرمانیئم|جرمینیم]] اور سلیکون جیسے [[جرمانیئم|سیمک]] [[نیم موصل|کنڈکٹر]] مادوں کی [[برقی موصلیت|برقی چالکتا]] غیر مستحکم [[قدری میکانیات|کوانٹم]] سطح کی ریاستوں کی طرف سے محدود تھی ، <ref name="Feldman">{{حوالہ کتاب|title=Fundamental Aspects of Silicon Oxidation|last=Feldman|first=Leonard C.|date=2001|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540416821|pages=1–11|chapter=Introduction|author-link=Leonard Feldman|chapter-url=https://books.google.com/books?id=sV4y2-mWGNIC&pg=PA1}}</ref> جہاں [[برقیہ|الیکٹران]] سطح پر پھنس جاتے ہیں ، اس طرح بنے ہوئے بندھن کی وجہ سے ہوتے ہیں کیونکہ سطح پر غیر مطمئن بندیاں موجود ہوتی ہیں۔ <ref name="Kooi">{{حوالہ کتاب|title=High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications|last=Kooi|first=E.|last2=Schmitz|first2=A.|date=2005|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540210818|pages=33–44|chapter=Brief Notes on the History of Gate Dielectrics in MOS Devices|chapter-url=https://books.google.com/books?id=kaSmXepnqCMC&pg=PA33}}</ref> اس سے سیمی کنڈکٹنگ سلکان پرت تک پہنچنے کے لئے سطح کو قابل اعتماد حد تک سطح سے گھسنے سے [[برق|بجلی کی]] روک تھام ہوئی۔ <ref name="atalla">{{حوالہ ویب|title=Martin (John) M. Atalla|publisher=[[National Inventors Hall of Fame]]|year=2009|url=https://www.invent.org/inductees/martin-john-m-atalla|accessdate=21 June 2013}}</ref> <ref name="kahng">{{حوالہ ویب|title=Dawon Kahng|url=https://www.invent.org/inductees/dawon-kahng|website=[[National Inventors Hall of Fame]]|accessdate=27 June 2019}}</ref> سطح کی حالت کی پریشانی کی وجہ سے ، جرمینیم ابتدائی سیمی کنڈکٹر صنعت میں [[ٹرانزسٹر|ٹرانزسٹروں]] اور دوسرے سیمیکمڈکٹر آلات کے لئے انتخاب کا غالب غالب سیمیکمڈکٹر مواد تھا ، کیونکہ جرمینیم اعلی کیریئر نقل و حرکت کی صلاحیت رکھتا تھا۔ <ref name="Dabrowski6">{{حوالہ کتاب|url=https://archive.org/details/siliconsurfacesf0000dabr/page/344|title=Silicon Surfaces and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World|last=Dabrowski|first=Jarek|last2=Müssig|first2=Hans-Joachim|date=2000|publisher=[[World Scientific]]|isbn=9789810232863|pages=[https://archive.org/details/siliconsurfacesf0000dabr/page/344 344–346]|chapter=6.1. Introduction|chapter-url=https://books.google.com/books?id=ZlefXcP3tQAC&pg=PA344}}</ref> <ref name="Heywang">{{حوالہ کتاب|title=Silicon: Evolution and Future of a Technology|last=Heywang|first=W.|last2=Zaininger|first2=K.H.|date=2013|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783662098974|pages=26–28|chapter=2.2. Early history|chapter-url=https://books.google.com/books?id=Qxj_CAAAQBAJ&pg=PA26}}</ref>

انہوں نے سطح کی منظوری کے عمل کی اپنی ترقی کے ساتھ ایک پیشرفت کی۔ <ref name="atalla">{{حوالہ ویب|title=Martin (John) M. Atalla|publisher=[[National Inventors Hall of Fame]]|year=2009|url=https://www.invent.org/inductees/martin-john-m-atalla|accessdate=21 June 2013}}</ref> یہ وہ عمل ہے جس کے ذریعہ سیمی کنڈکٹر کی سطح کو غیر مہیا کیا جاتا ہے ، اور [[بلور|کرسٹل کی]] سطح یا کنارے کے ساتھ رابطے میں ہوا یا دیگر مواد کے ساتھ تعامل کے نتیجے میں سیمی کنڈکٹر کی خصوصیات میں کوئی تبدیلی نہیں آتی ہے۔ سطح کی منتقلی کا عمل پہلی بار اٹالہ نے 1950 کے آخر میں تیار کیا تھا۔ <ref name="Black">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=laYFDAAAQBAJ&pg=PA17|title=New Perspectives on Surface Passivation: Understanding the Si-Al2O3 Interface|last=Black|first=Lachlan E.|date=2016|publisher=[[Springer Science+Business Media|Springer]]|isbn=9783319325217|page=17}}</ref> انہوں نے دریافت کیا کہ تھرمل طور پر بڑھتی ہوئی سلکان ڈائی آکسائیڈ (سی او ₂ ) پرت کی تشکیل نے سلکان کی سطح پر الیکٹرانک ریاستوں کے ارتکاز کو بہت کم کردیا ہے ، اور p-n جنکشن کی برقی خصوصیات کو محفوظ رکھنے کے لئے SiO₂ فلموں کے اہم معیار کو دریافت کیا۔ اور گیسیئس ماحولیاتی ماحول کی وجہ سے ان بجلی کی خصوصیات کو خراب ہونے سے روکیں۔ <ref name="Saxena">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=z7738Wq-j-8C|title=Invention of integrated circuits: untold important facts|last=Saxena|first=A|publisher=[[World Scientific]]|year=2009|isbn=9789812814456|series=International series on advances in solid state electronics and technology|pages=96–97}}</ref> انہوں نے پایا کہ سلیکن آکسائڈ پرتوں کو سلیکن سطحوں کو بجلی سے مستحکم کرنے کے لئے استعمال کیا جاسکتا ہے۔ <ref name="Lecuyer">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=LaZpUpkG70QC&pg=PA111|title=Makers of the Microchip: A Documentary History of Fairchild Semiconductor|last=Lécuyer|first=Christophe|last2=Brock|first2=David C.|date=2010|publisher=[[MIT Press]]|isbn=9780262294324|page=111}}</ref> اس نے سطح کی تزئین کا عمل تیار کیا ، جو سیمیکمڈکٹر ڈیوائس فریبکاری کا ایک نیا طریقہ ہے جس میں سلکان وفر کو سلیکن آکسائڈ کی ایک موصل پرت کے ساتھ ملانا شامل ہے تاکہ بجلی قابل اعتماد طریقے سے نیچے چلنے والے سلکان میں داخل ہوسکے۔ سلیکن ویفر کے اوپر سلیکن ڈائی آکسائیڈ کی ایک پرت کو بڑھا کر ، اٹلاعطااللہ اس سطح کی ریاستوں پر قابو پانے میں کامیاب رہا جس نے بجلی کو سیمیکمڈکٹنگ پرت تک پہنچنے سے روکا تھا۔ اس کی سطح کو منتقل کرنے کا طریقہ ایک اہم اقدام تھا جس نے سلکان انٹیگریٹڈ سرکٹس کی بالادستی کو ممکن بنایا ، اور بعد میں یہ سیمیکمڈکٹر انڈسٹری کے لئے بھی اہم ہوگیا۔ <ref name="kahng">{{حوالہ ویب|title=Dawon Kahng|url=https://www.invent.org/inductees/dawon-kahng|website=[[National Inventors Hall of Fame]]|accessdate=27 June 2019}}</ref> سطح کی منتقلی کے عمل کے ل he ، اس نے تھرمل آکسیکرن کا طریقہ تیار کیا ، جو سلکان سیمیکمڈکٹر ٹیکنالوجی میں ایک پیش رفت تھا۔ <ref name="Huff34">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=kaSmXepnqCMC&pg=PA34|title=High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications|last=Huff|first=Howard|date=2005|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540210818|page=34}}</ref>

سطح گزرنے کا عمل سلکان سیمیکمڈکٹر ریسرچ میں ایک پیش رفت تھا ، کیونکہ اس نے سلیکن کو [[جرمانیئم]] کی چالکتا اور کارکردگی کو پیچھے چھوڑنے کے قابل بنایا ، اور یہ وہ پیش رفت تھی جس کے نتیجے میں سلیکن نے جرمینیم کو غالب سیمیکمڈکٹر مواد کی حیثیت سے تبدیل کردیا۔ <ref name="Kooi">{{حوالہ کتاب|title=High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications|last=Kooi|first=E.|last2=Schmitz|first2=A.|date=2005|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540210818|pages=33–44|chapter=Brief Notes on the History of Gate Dielectrics in MOS Devices|chapter-url=https://books.google.com/books?id=kaSmXepnqCMC&pg=PA33}}</ref> <ref name="Black">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=laYFDAAAQBAJ&pg=PA17|title=New Perspectives on Surface Passivation: Understanding the Si-Al2O3 Interface|last=Black|first=Lachlan E.|date=2016|publisher=[[Springer Science+Business Media|Springer]]|isbn=9783319325217|page=17}}</ref> <ref name="Heywang">{{حوالہ کتاب|title=Silicon: Evolution and Future of a Technology|last=Heywang|first=W.|last2=Zaininger|first2=K.H.|date=2013|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783662098974|pages=26–28|chapter=2.2. Early history|chapter-url=https://books.google.com/books?id=Qxj_CAAAQBAJ&pg=PA26}}</ref> <ref name="Feldman">{{حوالہ کتاب|title=Fundamental Aspects of Silicon Oxidation|last=Feldman|first=Leonard C.|date=2001|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540416821|pages=1–11|chapter=Introduction|author-link=Leonard Feldman|chapter-url=https://books.google.com/books?id=sV4y2-mWGNIC&pg=PA1}}</ref> اس عمل نے یک سنگی انٹیگریٹڈ سرکٹ چپ کی بنیاد بھی رکھی ، کیوں کہ یہ پہلا موقع تھا کہ سلکان کی سطح پر بنیادی طور پر سلکان پی این جنکشن [[ڈائیوڈ|ڈایڈس]] اور ٹرانجسٹروںٹرانزسٹروں کو بچانے کے لئے اعلی کوالٹی سلکان ڈائی آکسائیڈ موصل فلموں کو تھرمل طور پر اگایا جاسکتا ہے۔ <ref name="Saxena">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=z7738Wq-j-8C|title=Invention of integrated circuits: untold important facts|last=Saxena|first=A|publisher=[[World Scientific]]|year=2009|isbn=9789812814456|series=International series on advances in solid state electronics and technology|pages=96–97}}</ref> انٹیگریٹڈ سرکٹ چپس کی ترقی سے پہلے ، مجرد ڈایڈس اور ٹرانجسٹروںٹرانزسٹروں نے نسبتا اعلی ریورس-بیاس جنکشن رساو اور کم خرابی والی وولٹیج کی نمائش کی ، جس کی وجہ سنگل کرسٹل سلکان کی سطح پر پھنسے ہوئے بڑے کثافت تھے۔ اٹلاعطااللہ کا سطح گزرنے کا عمل ہی اس مسئلے کا حل بن گیا۔ انہوں نے دریافت کیا کہ جب سلیکن ڈائی آکسائیڈ کی ایک پتلی پرت سلکان کی سطح پر اگائی جاتی تھی جہاں p – n جنکشن سطح کو روکتا ہے تو ، جنکشن کا رساو ایک عنصر کے ذریعہ 10 سے 100 تک کم ہو گیا تھا۔ اس سے ظاہر ہوا کہ آکسائڈ انٹرفیس اور آکسائڈ کے بہت سے جال کو کم اور مستحکم کرتا ہے۔ سلیکن سطحوں کے آکسائڈ سے گزرنے سے ڈائیڈس اور ٹرانجسٹروںٹرانزسٹروں کو نمایاں طور پر بہتر آلے کی خصوصیات کے ساتھ گھڑنے کی اجازت دی گئی ، جبکہ سلیکن کی سطح کے ساتھ رساو کا راستہ بھی موثر طریقے سے بند ہوگیا تھا۔ <ref name="Wolf">{{حوالہ رسالہ|last1=Wolf|first1=Stanley|title=A review of IC isolation technologies|journal=Solid State Technology|date=March 1992|page=63|url=http://go.galegroup.com/ps/anonymous?id=GALE%7CA12308297}}</ref> اس کے سطح آکسیکرن کے طریقہ کار نے سیمیکمڈکٹر کی سطح مہیا کی جو ماحول کے لئے غیر حساس تھی۔ <ref name="Bassett22">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA22|title=To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology|last=Bassett|first=Ross Knox|date=2007|publisher=[[Johns Hopkins University Press]]|isbn=9780801886393|pages=22–23}}</ref> یہ پلانر ٹکنالوجی اور مربوط سرکٹ چپس کے لئے ضروری بنیادی p p n جنکشن تنہائی کی صلاحیت بن گیا۔

اٹلاعطااللہ نے 1958 میں الیکٹرو کیمیکل سوسائٹی کے اجلاس میں اپنا کام پیش کرنے سے پہلے 1957 کے دوران ، بی ٹی ایل میمو میں اپنی تلاشیں پہلی بار شائع کیں ، <ref>{{حوالہ کتاب|url=https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697|title=History of Semiconductor Engineering|last=Lojek|first=Bo|date=2007|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540342588|pages=[https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697/page/n128 120]& 321–323|url-access=limited}}</ref> <ref name="Bassett46">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA46|title=To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology|last=Bassett|first=Ross Knox|date=2007|publisher=[[Johns Hopkins University Press]]|isbn=9780801886393|page=46}}</ref> ریڈیو انجینئرز کی سیمیکمڈکٹر ڈیوائس ریسرچ کانفرنس۔ <ref name="Bassett22">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA22|title=To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology|last=Bassett|first=Ross Knox|date=2007|publisher=[[Johns Hopkins University Press]]|isbn=9780801886393|pages=22–23}}</ref> سیمیکمڈکٹر صنعت نے اٹلاعطااللہ کے سطح آکسیکرن کے طریقہ کار کی امکانی اہمیت کو دیکھا ، آر سی اے نے اسے "سطح کے میدان میں سنگ میل" قرار دیا۔ اسی سال ، اس نے اپنے ساتھیوں آئیلین ٹینن بئم اور ایڈون جوزف شیئبنر کے ساتھ مل کر اس عمل میں مزید اصلاحات کیں ، اس سے پہلے کہ انہوں نے مئی 1959 میں اپنے نتائج شائع کیے۔ <ref name="Sah">{{حوالہ رسالہ|last=Sah|first=Chih-Tang|author-link=Chih-Tang Sah|title=Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI|journal=[[Proceedings of the IEEE]]|date=October 1988|volume=76|issue=10|pages=1280–1326 (1290)|doi=10.1109/5.16328|url=http://www.dejazzer.com/ece723/resources/Evolution_of_the_MOS_transistor.pdf|issn=0018-9219|quote=Those of us active in silicon material and device research during 1956{{ndash}}1960 considered this successful effort by the Bell Labs group led by Atalla to stabilize the silicon surface the most important and significant technology advance, which blazed the trail that led to silicon integrated circuit technology developments in the second phase and volume production in the third phase.}}</ref> <ref>{{حوالہ رسالہ|last=Atalla|first=M.|title=Stabilization of silicon surfaces by thermally grown oxides|journal=The Bell System Technical Journal|date=1959|volume=38|issue=3|pages=749–783|doi=10.1002/j.1538-7305.1959.tb03907.x|issn=0005-8580}}</ref> فیئرچائلڈ سیمیکمڈکٹر انجینئر چیہ-تانگ ساہ کے مطابق ، اٹلاعطااللہ اور ان کی ٹیم کے ذریعہ تیار کردہ سطح کی منظوری کے عمل نے "پگڈنڈی" کی جس سے سیلیکن انٹیگریٹڈ سرکٹ کی ترقی ہوئی۔ <ref name="Wolf">{{حوالہ رسالہ|last=Wolf|first=Stanley|title=A review of IC isolation technologies|journal=Solid State Technology|date=March 1992|url=http://go.galegroup.com/ps/anonymous?id=GALE%7CA12308297}}</ref> <ref>{{حوالہ رسالہ|last=Sah|first=Chih-Tang|author-link=Chih-Tang Sah|title=Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI|journal=[[Proceedings of the IEEE]]|date=October 1988|volume=76|issue=10|pages=1280–1326 (1291)|doi=10.1109/5.16328|url=http://www.dejazzer.com/ece723/resources/Evolution_of_the_MOS_transistor.pdf|issn=0018-9219}}</ref> تھرمل آکسائڈ کے ذریعہ اٹلاعطااللہ کی [[ٹرانزسٹر|سلیکان ٹرانزسٹر]] پاسیویشن تکنیک 1959 میں متعدد اہم ایجادات کی بنیاد تھی: بیل لیبز میں اٹلاعطااللہ اور ڈاون کاہنگ کے ذریعہ موزفیت (MOS ٹرانجسٹر) ، فیئرچلڈ سیمیکمڈکٹر میں جین ہورنی کے ذریعہ پلانر عمل ، اور یک سنگی سرٹیفکیٹ سرک چپ رابرٹ نائس 1959 میں فیئرچلڈ میں۔ <ref>{{حوالہ رسالہ|last=Sah|first=Chih-Tang|author-link=Chih-Tang Sah|title=Evolution of the MOS transistor-from conception to VLSI|journal=[[Proceedings of the IEEE]]|date=October 1988|volume=76|issue=10|pages=1280–1326 (1290-1)|doi=10.1109/5.16328|url=http://www.dejazzer.com/ece723/resources/Evolution_of_the_MOS_transistor.pdf|issn=0018-9219}}</ref> 1960 کی دہائی کے وسط تک ، سلیکن سطحوں کے لئے اٹلاعطااللہ کے عمل کو عملی طور پر تمام مربوط سرکٹس اور سلیکن آلات تیار کرنے کے لئے استعمال کیا گیا تھا۔ <ref>{{حوالہ رسالہ|last=Donovan|first=R. P.|title=The Oxide-Silicon Interface|journal=Fifth Annual Symposium on the Physics of Failure in Electronics|date=November 1966|pages=199–231|doi=10.1109/IRPS.1966.362364}}</ref> سلکان سیمیکمڈکٹر ٹکنالوجی کے علاوہ ، سطح گزرنے کا عمل [[شمسی خلیہ|شمسی سیل]] <ref>{{حوالہ کتاب|url=https://core.ac.uk/download/pdf/156698511.pdf|title=New Perspectives on Surface Passivation: Understanding the Si-Al2O3 Interface|last=Black|first=Lachlan E.|date=2016|publisher=Springer|isbn=9783319325217}}</ref> اور کاربن کوانٹم ڈاٹ ٹیکنالوجیز کے لئے بھی اہم ہے۔

سطح گذرنے اور تھرمل آکسیکرن عمل کے بارے میں اپنی ابتدائی تحقیق <ref>{{حوالہ ویب|title=People|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/people/|website=The Silicon Engine|publisher=[[Computer History Museum]]|accessdate=21 August 2019}}</ref> پر روشنی ڈالتے ہوئے ، <ref name="Huff34">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=kaSmXepnqCMC&pg=PA34|title=High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications|last=Huff|first=Howard|date=2005|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540210818|page=34}}</ref> اٹلاعطااللہ نے دھات – آکسائڈ سیمی کنڈکٹر (ایم او ایس) کے عمل کو تیار کیا۔ <ref name="atalla">{{حوالہ ویب|title=Martin (John) M. Atalla|publisher=[[National Inventors Hall of Fame]]|year=2009|url=https://www.invent.org/inductees/martin-john-m-atalla|accessdate=21 June 2013}}</ref> اس کے بعد اٹلاعطااللہ نے تجویز پیش کی کہ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر ایک تصور کا تصور سب سے پہلے 1920 کی دہائی میں ہوا تھا اور تجرباتی طور پر اس کی تصدیق 1940 کی دہائی میں ہوئی تھی ، لیکن اس کو عملی آلہ کے طور پر حاصل نہیں کیا جاسکتا ہے۔ یہ دھات آکسائڈ سلیکن سے بنا ہوا ہے۔ اٹلاعطااللہ نے ایک کوریائی سائنس دان ڈون کاہنگ کو اس کی مدد کا کام سونپا جو حال ہی میں اس کے گروپ میں شامل ہوا تھا۔ اس کے نتیجے میں نومبر 1959 میں اٹلاعطااللہ اور کاہنگ کے ذریعہ MOSFET (دھات – آکسائڈ سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر) کی ایجاد ہوئی۔ <ref name="computerhistory">{{حوالہ رسالہ|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/|title=1960 – Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|journal=The Silicon Engine}}</ref> <ref name="Lojek321">{{حوالہ کتاب|url=https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697|title=History of Semiconductor Engineering|last=Lojek|first=Bo|date=2007|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540342588|pages=[https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697/page/n327 321]–3|url-access=limited}}</ref> <ref name="Bassett22">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA22|title=To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology|last=Bassett|first=Ross Knox|date=2007|publisher=[[Johns Hopkins University Press]]|isbn=9780801886393|pages=22–23}}</ref> اٹلاعطااللہ اور کاہنگ نے پہلی بار 1960 کے اوائل میں موسفٹ کا مظاہرہ کیا۔ <ref>{{حوالہ رسالہ|last=Atalla|first=M.|title=Silicon-silicon dioxide field induced surface devices|journal=IRE-AIEE Solid State Device Research Conference|date=1960}}</ref> <ref name="crn">{{حوالہ ویب|last=Poeter|first=Damon|title=Inventors Hall of Fame Honors Sultans Of Silicon|url=http://www.crn.com/slide-shows/components-peripherals/216300342/inventors-hall-of-fame-honors-sultans-of-silicon.htm?pgno=4|accessdate=2 October 2013|archiveurl=https://web.archive.org/web/20131004223952/http://www.crn.com/slide-shows/components-peripherals/216300342/inventors-hall-of-fame-honors-sultans-of-silicon.htm?pgno=4|archivedate=October 4, 2013}}</ref> اس کی اعلی اسکیل ایبلٹیٹی ، <ref>{{حوالہ رسالہ|last=Motoyoshi|first=M.|title=Through-Silicon Via (TSV)|journal=Proceedings of the IEEE|date=2009|volume=97|issue=1|pages=43–48|doi=10.1109/JPROC.2008.2007462|url=https://pdfs.semanticscholar.org/8a44/93b535463daa7d7317b08d8900a33b8cbaf4.pdf|issn=0018-9219}}</ref> اور [[بائی پولر جنکشن ٹرانزسٹر|دو قطبی جنکشن ٹرانزسٹروں]] کی نسبت بہت کم بجلی کی کھپت اور زیادہ کثافت کے ساتھ ، موسفٹ نے اعلی کثافت انٹیگریٹڈ سرکٹ (آئی سی) چپس کی تعمیر ممکن بنائی۔ <ref name="computerhistory-transistor">{{حوالہ ویب|title=Who Invented the Transistor?|url=https://www.computerhistory.org/atchm/who-invented-the-transistor/|website=[[Computer History Museum]]|date=4 December 2013|accessdate=20 July 2019}}</ref>

اصل میں دو قسم کی MOSFET منطق تھیں ، PMOS ( p-type MOS) اور NMOS ( n- type MOS)۔ دونوں قسمیں اٹلاعطااللہ اور کاہنگ نے تیار کی تھیں جب انہوں نے اصل میں موسفٹ ایجاد کیا تھا۔ انہوں نے 20 کے ساتھ دونوں PMOS اور NMOS آلات کو گھڑ لیا <nowiki><span about="#mwt275" class="nowrap" data-cx="[{&amp;quot;adapted&amp;quot;:true,&amp;quot;targetExists&amp;quot;:true}]" data-mw="{&amp;quot;parts&amp;quot;:[{&amp;quot;template&amp;quot;:{&amp;quot;target&amp;quot;:{&amp;quot;wt&amp;quot;:&amp;quot;Spaces&amp;quot;,&amp;quot;href&amp;quot;:&amp;quot;./سانچہ:Spaces&amp;quot;},&amp;quot;params&amp;quot;:{},&amp;quot;i&amp;quot;:0}}]}" data-ve-no-generated-contents="true" id="mwAWI" typeof="mw:Transclusion"><span typeof="mw:Entity">&</nowiki>nbsp;<nowiki></span></nowiki><nowiki></span></nowiki> µm عمل . تاہم ، اس وقت صرف پی ایم او ایس آلات عملی طور پر کام کرنے والے آلہ تھے۔ <ref name="Lojek321">{{حوالہ کتاب|url=https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697|title=History of Semiconductor Engineering|last=Lojek|first=Bo|date=2007|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540342588|pages=[https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697/page/n327 321]–3|url-access=limited}}</ref>

اٹلاعطااللہ نے 1960 میں ایم او ایس انٹیگریٹڈ سرکٹ چپ کے تصور کی تجویز پیش کی۔ انہوں نے نوٹ کیا کہ ایم او ایس ٹرانجسٹر کی من گھڑت آسانی سے یہ آئی سی چپس کے لئے کارآمد ثابت ہوا۔ <ref name="Moskowitz">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=2STRDAAAQBAJ&pg=PA165|title=Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century|last=Moskowitz|first=Sanford L.|date=2016|publisher=[[John Wiley & Sons]]|isbn=9780470508923|pages=165–167}}</ref> تاہم ، بیل لیبز نے ابتدائی طور پر ایم او ایس ٹکنالوجی کو نظرانداز کیا ، کیونکہ اس وقت کمپنی کو آئی سی میں دلچسپی نہیں تھی۔ اس کے باوجود ، موسفٹ نے آر سی اے اور فیئرچلڈ سیمیکمڈکٹر میں اہم دلچسپی پیدا کی۔ 1960 کے اوائل میں اٹلاعطااللہ اور کاہنگ کے ذریعہ پہلے موسفٹ مظاہرے سے متاثر ہو کر ، آر سی اے اور فیئرچلڈ کے محققین نے اسی سال کے آخر میں ، کارل زینجر اور چارلس میلر نے آر سی اے میں MOSFET بنائے ، اور چیہ-تانگ ساہ نے فیچرچلڈ میں ایک MOS کنٹرول ٹیتروڈ بنایا ۔ . ایم او ایس کے آئی سی چپ کا ان کا تصور بالآخر حقیقت بن گیا ، 1932 میں آر سی اے میں فریڈ ہیمان اور اسٹیون ہوفسٹین کے ذریعہ ایک تجرباتی MOS چپ کے ساتھ شروع ہوا ، جس کے بعد MOS آئی سی چپس کے لئے زبردستی من گھڑت عمل بن جائے گا۔ <ref name="computerhistory-digital">{{حوالہ ویب|title=Tortoise of Transistors Wins the Race – CHM Revolution|url=https://www.computerhistory.org/revolution/digital-logic/12/279|website=[[Computer History Museum]]|accessdate=22 July 2019}}</ref> [[تکمیلی فلزی اکسید نیم موصل (تفانم)|سی ایم او ایس]] ، جس نے پی [[تکمیلی فلزی اکسید نیم موصل (تفانم)|ایم او ایس اور این ایم او ایس]] دونوں کے مشترکہ پہلوؤں کو ، بعد میں چیہ -تانگ ساہ اور فرینک وانلاس نے 1963 میں فیئرچلڈ میں تیار کیا تھا۔ <ref name="computerhistory1963">{{حوالہ ویب|title=1963: Complementary MOS Circuit Configuration is Invented|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/complementary-mos-circuit-configuration-is-invented/|website=[[Computer History Museum]]|accessdate=6 July 2019}}</ref> ایم او ایس ٹکنالوجی کی ترقی ، جو منیٹائزیشن میں اضافے کی صلاحیت رکھتی تھی ، آخر کار [[کیلیفورنیا]] میں ابتدائی سیمیکمڈکٹر انڈسٹری کی تکنیکی اور معاشی ترقی کو ہوا دینے والے ، 1960 کی دہائی میں آر سی اے ، فیئرچائلڈ ، انٹیل اور دیگر سیمیکمڈکٹر کمپنیوں کی توجہ کا مرکز بن گئی۔ [[سیلیکون ویلی|سیلیکن ویلی کے]] نام سے جانا جاتا ہے) <ref>{{حوالہ کتاب|title=Making Silicon Valley: Innovation and the Growth of High Tech, 1930-1970|last=Lécuyer|first=Christophe|date=2006|publisher=[[Chemical Heritage Foundation]]|isbn=9780262122818|pages=253–6 & 273}}</ref> نیز جاپان بھی۔ <ref>{{حوالہ ویب|title=60s Trends in the Semiconductor Industry|url=http://www.shmj.or.jp/english/trends/trd60s.html|website=Semiconductor History Museum of Japan|accessdate=7 August 2019|archiveurl=https://web.archive.org/web/20190814025731/http://www.shmj.or.jp/english/trends/trd60s.html|archivedate=August 14, 2019}}</ref>

موسفٹ وہ پہلا واقعی کومپیکٹ ٹرانجسٹر تھا جسے استعمال کیا جاسکتا ہے اور <ref name="Moskowitz">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=2STRDAAAQBAJ&pg=PA165|title=Advanced Materials Innovation: Managing Global Technology in the 21st century|last=Moskowitz|first=Sanford L.|date=2016|publisher=[[John Wiley & Sons]]|isbn=9780470508923|pages=165–167}}</ref> الیکٹرانکس کی صنعت میں انقلاب برپا کرنے کے لئے استعمال کیا جاسکتا ہے ۔ <ref name="Chan">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=sV4eAQAAMAAJ|title=Studies of InAIAs/InGaAs and GaInP/GaAs heterostructure FET's for high speed applications|last=Chan|first=Yi-Jen|date=1992|publisher=[[یونیورسٹی آف مشی گن]]|page=1|quote=The Si MOSFET has revolutionized the electronics industry and as a result impacts our daily lives in almost every conceivable way.}}</ref> <ref name="Grant">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=ZiZTAAAAMAAJ|title=Power MOSFETS: theory and applications|last=Grant|first=Duncan Andrew|last2=Gowar|first2=John|date=1989|publisher=[[جان وائلی اینڈ سنز]]|isbn=9780471828679|page=1|quote=The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is the most commonly used active device in the very large-scale integration of digital integrated circuits (VLSI). During the 1970s these components revolutionized electronic signal processing, control systems and computers.}}</ref> MOSFET جدید [[برقیات|الیکٹرانکس کی]] بنیاد تشکیل دیتا ہے ، <ref>{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=fV3RBQAAQBAJ&pg=PA3|title=Dopants and Defects in Semiconductors|last=McCluskey|first=Matthew D.|last2=Haller|first2=Eugene E.|date=2012|publisher=[[CRC Press]]|isbn=9781439831533|page=3}}</ref> اور زیادہ تر جدید [[برقیات|الیکٹرانک آلات]] میں بنیادی عنصر ہے۔ <ref>{{حوالہ ویب|last=Daniels|first=Lee A.|title=Dr. Dawon Kahng, 61, Inventor In Field of Solid-State Electronics|url=https://www.nytimes.com/1992/05/28/nyregion/dr-dawon-kahng-61-inventor-in-field-of-solid-state-electronics.html|website=The New York Times|accessdate=1 April 2017|date=28 May 1992}}</ref> یہ دنیا میں سب سے زیادہ استعمال ہونے والا سیمیکمڈکٹر ڈیوائس ہے ، <ref name="computerhistory-transistor">{{حوالہ ویب|title=Who Invented the Transistor?|url=https://www.computerhistory.org/atchm/who-invented-the-transistor/|website=[[Computer History Museum]]|date=4 December 2013|accessdate=20 July 2019}}</ref> <ref name="Golio">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=MCj9jxSVQKIC&pg=SA18-PA2|title=RF and Microwave Passive and Active Technologies|last=Golio|first=Mike|last2=Golio|first2=Janet|date=2018|publisher=[[CRC Press]]|isbn=9781420006728|page=18–2}}</ref> اور تاریخ کا سب سے زیادہ وسیع پیمانے پر تیار کیا جانے والا آلہ ہے ، جس کا تخمینہ 13 ہے {{Spaces}} سیکسٹیلین MOS ٹرانزسٹرز 2018 تک تیار ہیں۔ <ref name="computerhistory2018">{{حوالہ ویب|title=13 Sextillion & Counting: The Long & Winding Road to the Most Frequently Manufactured Human Artifact in History|url=https://www.computerhistory.org/atchm/13-sextillion-counting-the-long-winding-road-to-the-most-frequently-manufactured-human-artifact-in-history/|date=April 2, 2018|website=[[Computer History Museum]]|accessdate=28 July 2019}}</ref> <ref name="Baker">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=kxYhNrOKuJQC&pg=PA7|title=CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation|last=Baker|first=R. Jacob|date=2011|publisher=[[John Wiley & Sons]]|isbn=978-1118038239|page=7}}</ref> MOSFET مائکرو الیکٹرانکس انقلاب ، <ref name="Zimbovskaya">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=5ji5BQAAQBAJ&pg=PA231|title=Transport Properties of Molecular Junctions|last=Zimbovskaya|first=Natalya A.|date=2013|publisher=Springer|isbn=9781461480112|page=231}}</ref> سلکان انقلاب ، <ref name="Feldman">{{حوالہ کتاب|title=Fundamental Aspects of Silicon Oxidation|last=Feldman|first=Leonard C.|date=2001|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540416821|pages=1–11|chapter=Introduction|author-link=Leonard Feldman|chapter-url=https://books.google.com/books?id=sV4y2-mWGNIC&pg=PA1}}</ref> <ref name="Dabrowski">{{حوالہ کتاب|url=https://archive.org/details/siliconsurfacesf0000dabr/page/3|title=Silicon Surfaces and Formation of Interfaces: Basic Science in the Industrial World|last=Dabrowski|first=Jarek|last2=Müssig|first2=Hans-Joachim|date=2000|publisher=[[World Scientific]]|isbn=9789810232863|pages=[https://archive.org/details/siliconsurfacesf0000dabr/page/3 3–13]|chapter=1.2. The Silicon Age|chapter-url=https://books.google.com/books?id=ZlefXcP3tQAC&pg=PA3}}</ref> اور مائکرو کمپیوٹر انقلاب ، <ref>{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=lyJGAQAAIAAJ|title=Making the Right Connections: Microcomputers and Electronic Instrumentation|last=Malmstadt|first=Howard V.|last2=Enke|first2=Christie G.|last3=Crouch|first3=Stanley R.|date=1994|publisher=[[American Chemical Society]]|isbn=9780841228610|page=389|quote=The relative simplicity and low power requirements of MOSFETs have fostered today's microcomputer revolution.}}</ref> کا مرکزی مرکز ہے اور یہ [[برقی تحریک|ڈیجیٹل انقلاب]] ، انفارمیشن انقلاب اور [[معلومات کا دور|انفارمیشن ایج کے]] دوران جدید ڈیجیٹل الیکٹرانکس کا بنیادی عمارت ہے۔ <ref name="triumph">{{حوالہ ویب|title=Triumph of the MOS Transistor|url=https://www.youtube.com/watch?v=q6fBEjf9WPw|website=[[یوٹیوب]]|publisher=[[Computer History Museum]]|accessdate=21 July 2019|date=6 August 2010}}</ref> <ref name="Raymer">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=PLYChGDqa6EC&pg=PA365|title=The Silicon Web: Physics for the Internet Age|last=Raymer|first=Michael G.|date=2009|publisher=[[CRC Press]]|isbn=9781439803127|page=365}}</ref> <ref name="Wong">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=4fI8CwAAQBAJ&pg=PA7|title=Electrical Engineering – Volume II|last=Wong|first=Kit Po|date=2009|publisher=[[Encyclopedia of Life Support Systems|EOLSS Publications]]|isbn=9781905839780|page=7}}</ref> یہ [[برقیات|الیکٹرانکس]] ایپلی کیشنز کی ایک وسیع اقسام میں استعمال کیا جاتا ہے ، جیسے [[کمپیوٹر]] ، سنتھیزائزر ، <ref name="kahng">{{حوالہ ویب|title=Dawon Kahng|url=https://www.invent.org/inductees/dawon-kahng|website=[[National Inventors Hall of Fame]]|accessdate=27 June 2019}}</ref> مواصلاتی ٹکنالوجی ، [[اسمارٹ فون|اسمارٹ فونز]] ، <ref name="uspto">{{حوالہ ویب|title=Remarks by Director Iancu at the 2019 International Intellectual Property Conference|url=https://www.uspto.gov/about-us/news-updates/remarks-director-iancu-2019-international-intellectual-property-conference|website=[[ریاست متحدہ سندِموجد اور نشان تجارہ دفتر]]|date=June 10, 2019|accessdate=20 July 2019|archiveurl=https://web.archive.org/web/20191217200937/https://www.uspto.gov/about-us/news-updates/remarks-director-iancu-2019-international-intellectual-property-conference|archivedate=December 17, 2019}}</ref> [[انٹرنیٹ]] انفراسٹرکچر ، <ref>{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=zZJfAAAAQBAJ&pg=PR7|title=Fundamentals of Ultra-Thin-Body MOSFETs and FinFETs|last=Fossum|first=Jerry G.|last2=Trivedi|first2=Vishal P.|date=2013|publisher=[[Cambridge University Press]]|isbn=9781107434493|page=vii}}</ref> <ref>{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=yOjFDQAAQBAJ&pg=PA53|title=MOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications|last=Omura|first=Yasuhisa|last2=Mallik|first2=Abhijit|last3=Matsuo|first3=Naoto|date=2017|publisher=[[John Wiley & Sons]]|isbn=9781119107354|page=53}}</ref> <ref name="Whiteley">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=x9koAQAAIAAJ|title=Technology, Entrepreneurs, and Silicon Valley|last=Whiteley|first=Carol|last2=McLaughlin|first2=John Robert|date=2002|publisher=Institute for the History of Technology|isbn=9780964921719|quote=These active electronic components, or power semiconductor products, from Siliconix are used to switch and convert power in a wide range of systems, from portable information appliances to the communications infrastructure that enable the Internet. The company's power MOSFETs — tiny solid-state switches, or metal oxide semiconductor field-effect transistors — and power integrated circuits are widely used in cell phones and notebook computers to manage battery power efficiently}}</ref> ڈیجیٹل ٹیلی مواصلات کے نظام ، ویڈیو گیمز ، [[حسابگر|جیبی کیلکولیٹر]] ، اور بہت سے دوسرے [[گھڑی|استعمالات]] کے علاوہ [[گھڑی|ڈیجیٹل کلائی گھڑیاں]] ۔ <ref>{{حوالہ کتاب|title=Handbook of Nanophysics: Nanoelectronics and Nanophotonics|last=Colinge|first=Jean-Pierre|last2=Greer|first2=Jim|date=2010|publisher=[[CRC Press]]|isbn=9781420075519|page=12–1|chapter=Chapter 12: Transistor Structures for Nanoelectronics|chapter-url=https://books.google.com/books?id=a3kJAMALo0MC&pg=SA12-PA1}}</ref> استعمال میں ہر [[خرد کار|مائکرو پروسیسر]] ، میموری چپ اور ٹیلی مواصلات سرکٹ کا بلڈنگ بلاک ہونے کی وجہ سے اسے "الیکٹرانکس انڈسٹری کا ورک ہارس" قرار دیا گیا ہے۔ <ref name="Colinge2016">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=FvjUCwAAQBAJ&pg=PA2|title=Nanowire Transistors: Physics of Devices and Materials in One Dimension|last=Colinge|first=Jean-Pierre|last2=Greer|first2=James C.|date=2016|publisher=[[Cambridge University Press]]|isbn=9781107052406|page=2}}</ref> [[ریاست متحدہ سندِموجد اور نشان تجارہ دفتر|یو ایس پیٹنٹ اینڈ ٹریڈ مارک آفس]] نے موسفٹ کو "دنیا میں زندگی اور ثقافت کو تبدیل کرنے والی" ایک ایسی اہم ایجاد قرار دیا ہے۔ اٹلاعطااللہ اور کاہنگ کے ذریعہ موسفٹ کی ایجاد کو "جدید الیکٹرانکس کی پیدائش" کے طور پر پیش کیا گیا ہے <ref>{{حوالہ کتاب|title=Nanodevices for Photonics and Electronics: Advances and Applications|last=Kubozono|first=Yoshihiro|last2=He|first2=Xuexia|last3=Hamao|first3=Shino|last4=Uesugi|first4=Eri|last5=Shimo|first5=Yuma|last6=Mikami|first6=Takahiro|last7=Goto|first7=Hidenori|last8=Kambe|first8=Takashi|date=2015|publisher=[[CRC Press]]|isbn=9789814613750|page=355|chapter=Application of Organic Semiconductors toward Transistors|chapter-url=https://books.google.com/books?id=8wdCCwAAQBAJ&pg=PA355}}</ref> اور یہ ممکنہ طور پر الیکٹرانکس کی سب سے اہم ایجاد سمجھا جاتا ہے۔ <ref>{{حوالہ رسالہ|last1=Thompson|first6=M. T.|issn=0894-6507|doi=10.1109/TSM.2004.841816|pages=26–36|issue=1|volume=18|date=2005|journal=[[IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing]]|title=In search of "Forever," continued transistor scaling one new material at a time|last6=Bohr|first1=S. E.|first5=S.|last5=Tyagi|first4=K.|last4=Mistry|first3=T.|last3=Ghani|first2=R. S.|last2=Chau|quote=In the field of electronics, the planar Si metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is perhaps the most important invention.}}</ref>

1960 میں ، اٹلاعطااللہ اور کاہنگ نے 20 گیٹ کی لمبائی کے ساتھ ، 100 Nm کے گیٹ آکسائڈ کی موٹائی کے ساتھ پہلا MOSFET تیار کیا ۔ <nowiki><span about="#mwt436" class="nowrap" data-cx="[{&amp;quot;adapted&amp;quot;:true,&amp;quot;targetExists&amp;quot;:true}]" data-mw="{&amp;quot;parts&amp;quot;:[{&amp;quot;template&amp;quot;:{&amp;quot;target&amp;quot;:{&amp;quot;wt&amp;quot;:&amp;quot;Spaces&amp;quot;,&amp;quot;href&amp;quot;:&amp;quot;./سانچہ:Spaces&amp;quot;},&amp;quot;params&amp;quot;:{},&amp;quot;i&amp;quot;:0}}]}" data-ve-no-generated-contents="true" id="mwAds" typeof="mw:Transclusion"><span typeof="mw:Entity">&</nowiki>nbsp;<nowiki></span></nowiki><nowiki></span></nowiki> م <ref>{{حوالہ کتاب|url=http://www.fulviofrisone.com/attachments/article/453/Semiconductor.Devices_Physics.Technology_Sze.2ndEd_Wiley_2002.pdf|title=Semiconductor Devices: Physics and Technology|last=Sze|first=Simon M.|date=2002|publisher=[[جان وائلی اینڈ سنز]]|isbn=0-471-33372-7|edition=2nd|page=4|author-link=Simon Sze}}</ref> 1962 میں ، اٹلاعطااللہ اور کاہنگ نے نانوالیر بیس میٹل – سیمی کنڈکٹر جنکشن (M – S جنکشن) ٹرانجسٹر گھڑا۔ اس آلہ میں ایک دھاتی پرت ہے جس میں نینومیٹرک موٹائی دو سیمیکمڈکٹنگ تہوں کے مابین سینڈویچ کی گئی ہے ، دھات جس کی بنیاد تشکیل دیتی ہے اور سیمیکمڈکٹرز اور کلکٹر تشکیل دیتے ہیں۔ اس کی کم مزاحمت اور پتلی میٹیکل نانوالیر بیس میں مختصر ٹرانزٹ اوقات کے ساتھ ، ڈیوائس [[بائی پولر جنکشن ٹرانزسٹر|بائی پولر ٹرانزسٹروں کے]] مقابلے میں اعلی آپریشن [[تعدد|فریکوینسی کے]] قابل تھا۔ ان کے اہم کام میں سنگل کرسٹل سیمیکمڈکٹر سبسٹریٹس (کلکٹر) کے اوپر دھات کی تہوں (بنیاد) کو جمع کرنا شامل ہے ، جس میں ایمیٹر ایک [[بلور|کرسٹل]] سیمی کنڈکٹر ٹکڑا ہے جس میں دھاتی پرت (نقطہ رابطے) کے خلاف دبایا جاتا ہے۔ انہوں نے این ٹائپ [[جرمانیئم|جرمینیم]] (این-جی) پر 10 ینیم موٹائی کے ساتھ [[سونا|سونے]] (اے یو) پتلی فلمیں جمع کیں ، جبکہ نکتہ رابطہ این ٹائپ سلیکن (این سی) تھا۔ <ref>{{حوالہ کتاب|title=Handbook of Nanophysics: Nanoelectronics and Nanophotonics|last=Pasa|first=André Avelino|date=2010|publisher=[[CRC Press]]|isbn=9781420075519|pages=13-1, 13-4|chapter=Chapter 13: Metal Nanolayer-Base Transistor|chapter-url=https://books.google.com/books?id=a3kJAMALo0MC&pg=SA13-PA1}}</ref> اٹلاعطااللہ نے 1962 میں بی ٹی ایل سے استعفیٰ دے دیا۔ <ref name="Lojek321">{{حوالہ کتاب|url=https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697|title=History of Semiconductor Engineering|last=Lojek|first=Bo|date=2007|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540342588|pages=[https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697/page/n327 321]–3|url-access=limited}}</ref>

=== سکاٹکی ڈایڈڈڈائیؤڈ ===

ایم او ایس ٹکنالوجی پر اپنے کام میں توسیع کرتے ہوئے ، اٹلاعطااللہ اور کاہنگ نے اگلے روز گرم ، شہوت انگیز کیریئر ڈیوائسز پر پیش قدمی کا کام کیا ، جو بعد میں اسکوٹکی رکاوٹ کہلائے گا۔ <ref name="Bassett">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA328|title=To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology|last=Bassett|first=Ross Knox|date=2007|publisher=[[Johns Hopkins University Press]]|isbn=9780801886393|page=328}}</ref> اسکاٹکی ڈایڈڈ ، جسے اسکاٹکی بیریئر ڈایڈڈ بھی کہا جاتا ہے ، کو برسوں سے نظریہ سازی کیا گیا ، لیکن 1960 {{Ndash}} 1961 کے دوران اٹلاعطااللہ اور کاہنگ کے کام کے نتیجے میں پہلی بار اس کا عملی طور پر احساس ہوا۔ <ref name="government">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=EUTQAAAAMAAJ&pg=PA1475|title=The Industrial Reorganization Act: The communications industry|date=1973|publisher=[[U.S. Government Printing Office]]|page=1475}}</ref> انہوں نے اپنے نتائج کو 1962 میں شائع کیا اور اپنے آلے کو سیمی کنڈکٹر-دھات امیٹر کے ساتھ "ہاٹ الیکٹران" ٹرائیڈ ڈھانچہ قرار دیا۔ <ref>{{حوالہ رسالہ|last1=Atalla|first1=M.|title=A new "Hot electron" triode structure with semiconductor-metal emitter|journal=IRE Transactions on Electron Devices|date=November 1962}}</ref> یہ پہلے [[دھات|میٹل]] بیس ٹرانجسٹروںٹرانزسٹروں میں سے ایک تھا۔ <ref>{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=MUtaDwAAQBAJ&pg=PA37-IA4|title=Silicon-Molecular Beam Epitaxy|last=Kasper|first=E.|date=2018|publisher=[[CRC Press]]|isbn=9781351093514}}</ref> اسکاٹکی ڈایڈڈ نے مکسر کے استعمال میں نمایاں کردار ادا کیا۔

1962 میں ، اٹلاعطااللہ نے ہیولٹ پیکارڈ میں شمولیت اختیار کی ، جہاں انہوں نے ہیولٹ پیکارڈ اور ایسوسی ایٹس (HP ایسوسی ایٹس) کی مشترکہ بنیاد رکھی ، جس نے ہیولٹ پیکارڈ کو بنیادی ٹھوس ریاست کی صلاحیتوں کی فراہمی کی۔ <ref name="purdue">{{حوالہ ویب|title=Martin M. (John) Atalla|url=http://www.purdue.edu/uns/html3month/hondocs03/03.ATALLA.html|website=[[پرڈیو یونیورسٹی]]|year=2003|accessdate=2 October 2013}}</ref> وہ HP ایسوسی ایٹس میں سیمیکمڈکٹر ریسرچ کا ڈائریکٹر ، <ref name="Lojek321">{{حوالہ کتاب|url=https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697|title=History of Semiconductor Engineering|last=Lojek|first=Bo|date=2007|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540342588|pages=[https://archive.org/details/historysemicondu00loje_697/page/n327 321]–3|url-access=limited}}</ref> اور HP کے سیمی کنڈکٹر لیب کا پہلا مینیجر تھا۔ <ref name="House">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=OsTnDv6d2DwC&pg=PA110|title=The HP Phenomenon: Innovation and Business Transformation|last=House|first=Charles H.|last2=Price|first2=Raymond L.|date=2009|publisher=[[Stanford University Press]]|isbn=9780804772617|pages=110–1}}</ref>

انہوں نے ہوورڈ سی بورڈن اور جیرالڈ پی پیگینی کے ساتھ 1962 ء سے 1969 کے درمیان عملی روشنی پھیلانے والے ڈیؤڈس (ایل ای ڈی) پر HP کی تحقیق و ترقی (R&D) کی نگرانی کی۔ پہلے عملی ایل ای ڈی ڈسپلے اٹلاعطااللہ کے سیمک کنڈکٹر لیب میں تعمیر کیے گئے تھے۔ <ref name="Borden">{{حوالہ رسالہ|last1=Borden|first1=Howard C.|last2=Pighini|first2=Gerald P.|title=Solid-State Displays|journal=[[Hewlett-Packard Journal]]|date=February 1969|pages=2–12}}</ref> انہوں نے 1968 میں پہلا کمرشل ایل ای ڈی ڈسپلے متعارف کرایا۔ <ref name="Kramer">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=oREQToB2q2UC&pg=PA40|title=Advances in Solid State Physics|last=Kramer|first=Bernhard|date=2003|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9783540401506|page=40}}</ref> یہ ایل ای ڈی لیمپ کے پہلے استعمال میں سے ایک تھا ، اسی سال مونسینٹو کمپنی کے ذریعہ ایل ای ڈی اشارے چراغ متعارف کرایا گیا تھا۔ <ref name="Andrews">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=mkqVBgAAQBAJ&pg=PA2|title=Photonics, Volume 3: Photonics Technology and Instrumentation|last=Andrews|first=David L.|date=2015|publisher=[[John Wiley & Sons]]|isbn=9781118225547|page=2}}</ref>

فروری 1969 میں ، بورڈن ، پِگینی اور اٹلاعطااللہ کے ماتحت وہی HP ٹیم نے HP ماڈل 5082-7000 عددی اشارے متعارف کرایا ، جو مربوط سرکٹ ٹکنالوجی کا استعمال کرنے والا پہلا ایل ای ڈی آلہ ہے۔ <ref name="Borden">{{حوالہ رسالہ|last=Borden|first=Howard C.|title=Solid-State Displays|journal=[[Hewlett-Packard Journal]]|date=February 1969|pages=2–12|url=http://hparchive.com/Journals/HPJ-1969-02.pdf}}</ref> یہ پہلا ذہین ایل ای ڈی ڈسپلے تھا ، اور [[تظاہرہ اختراع|ڈیجیٹل ڈسپلے]] ٹکنالوجی میں انقلاب برپا ہوا تھا ، جس سے نکسی ٹیوب کی جگہ لی گئی اور بعد میں ایل ای ڈی ڈسپلے کی بنیاد بن گئی۔ <ref>{{حوالہ ویب|title=Hewlett-Packard 5082-7000|url=http://www.decadecounter.com/vta/articleview.php?item=1052|website=The Vintage Technology Association|accessdate=15 August 2019}}</ref>

== اٹلاعطااللہ کارپوریشن (1972 {{Ndash}} 1990) ==

انہوں نے 1972 میں سیمیکمڈکٹر انڈسٹری چھوڑ دی ، اور ڈیٹا سیکیورٹی <ref name="Bassett">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA328|title=To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology|last=Bassett|first=Ross Knox|date=2007|publisher=[[Johns Hopkins University Press]]|isbn=9780801886393|page=328}}</ref> اور [[رمز نگاری|خفیہ نگاری]] میں بطور کاروباری شخصیات نے اپنے نئے کیریئر کا آغاز کیا۔ <ref name="Langford">{{حوالہ ویب|last=Langford|first=Susan|title=ATM Cash-out Attacks|url=https://h41382.www4.hpe.com/gfs-shared/20140318153228.pdf|website=[[Hewlett Packard Enterprise]]|publisher=[[Hewlett-Packard]]|year=2013|accessdate=21 August 2019}}</ref> 1972 میں ، اس نے اٹلاعطااللہ ٹیکنوویشن کی بنیاد رکھی ، <ref name="nist">{{حوالہ ویب|title=The Economic Impacts of NIST's Data Encryption Standard (DES) Program|url=https://www.nist.gov/sites/default/files/documents/2017/05/09/report01-2.pdf|website=[[National Institute of Standards and Technology]]|publisher=[[United States Department of Commerce]]|date=October 2001|accessdate=21 August 2019}}</ref> بعد میں اٹلاعطااللہ کارپوریشن کے نام سے پکارا گیا ، جس نے [[بينک|بینکاری]] اور مالیاتی اداروں کے حفاظتی مسائل سے نمٹا۔ <ref>{{حوالہ ویب|title=Computer History Museum|url=http://www.computerhistory.org/semiconductor/people.html|accessdate=2 October 2013}}</ref>

اس نے پہلا ہارڈ ویئر سیکیورٹی ماڈیول (HSM) ایجاد کیا ، <ref name="Stiennon">{{حوالہ ویب|last=Stiennon|first=Richard|title=Key Management a Fast Growing Space|url=https://securitycurrent.com/key-management-a-fast-growing-space/|website=SecurityCurrent|publisher=IT-Harvest|accessdate=21 August 2019|date=17 June 2014}}</ref> نام نہاد " اٹلاعطااللہ باکس " ، ایک ایسا سکیورٹی سسٹم جو آج [[اے ٹی ایم]] سے زیادہ تر لین دین حاصل کرتا ہے۔ اسی وقت ، اٹلاعطااللہ نے ذاتی شناختی نمبر (پن) کے نظام کی نشوونما میں حصہ لیا ، جو بینکاری کی صنعت میں دوسروں کے درمیان شناخت کے معیار کے طور پر تیار ہوا ہے۔

1970 کی دہائی کے اوائل میں اٹلاعطااللہ کے کام نے اعلی حفاظتی ماڈیول کا استعمال کیا۔ اس کا "اٹلاعطااللہ باکس" ، ایک سیکیورٹی سسٹم ہے جو پن اور اے ٹی ایم پیغامات [[رمز نگاری|کو خفیہ کرتا ہے]] ، اور غیر قیاس بخش پن پیدا کرنے والی کلید کی مدد سے آف لائن آلات محفوظ کرتا ہے۔ <ref name="Lazo">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=rWhiDwAAQBAJ&pg=PA284|title=Cash and Dash: How ATMs and Computers Changed Banking|last=Bátiz-Lazo|first=Bernardo|date=2018|publisher=[[اوکسفرڈ یونیورسٹی پریس]]|isbn=9780191085574|pages=284 & 311}}</ref> انہوں نے 1973 میں تجارتی طور پر "اٹلاعطااللہ باکس" جاری کیا۔ پروڈکٹ شناختی کیکی کے طور پر جاری کی گئی تھی۔ یہ کارڈ ریڈر اور صارف کا شناختی نظام تھا ، جس میں پلاسٹک کارڈ اور پن کی صلاحیتوں والا ایک ٹرمینل فراہم کیا گیا تھا۔ یہ نظام [[بينک|بینکوں]] اور منحرف اداروں کو کسی پاس بک پروگرام سے کسی پلاسٹک کارڈ ماحول میں تبدیل کرنے کے لئے تیار کیا گیا تھا۔ شناختی نظام میں کارڈ ریڈر کنسول ، دو کسٹمر پن پیڈ ، ذہین کنٹرولر اور بلٹ میں الیکٹرانک انٹرفیس پیکیج شامل ہوتا ہے۔ <ref name="Computerworld1978">{{حوالہ رسالہ|title=ID System Designed as NCR 270 Upgrade|url=https://books.google.com/books?id=fB-Te8d5hO8C&pg=PA49}}</ref> ڈیوائس میں دو کی بورڈ شامل ہیں ، ایک کسٹمر کے لئے اور ایک ٹیلر کے لئے۔ اس نے گاہک کو خفیہ کوڈ ٹائپ کرنے کی اجازت دی ، جو [[خرد کار|مائکرو پروسیسر]] کا استعمال کرتے ہوئے ، آلے کے ذریعہ ٹیلر کے لئے دوسرے کوڈ میں تبدیل ہوتا ہے۔ <ref name="Computerworld1976">{{حوالہ رسالہ|title=Four Products for On-Line Transactions Unveiled|url=https://books.google.com/books?id=3u9H-xL4sZAC&pg=PA3}}</ref> لین دین کے دوران ، کارڈ ریڈر کے ذریعہ گاہک کا اکاؤنٹ نمبر پڑھا جاتا تھا ۔ اس عمل نے دستی اندراج کی جگہ لے لی اور فالج کی ممکنہ غلطیوں سے گریز کیا۔ اس سے صارفین کو گاہکوں کی روایتی توثیق کے روایتی طریقوں جیسے دستخطی کی توثیق اور ایک محفوظ پن سسٹم کے ساتھ سوالات کی جانچ کرنے کی اجازت دی گئی۔

اٹلاعطااللہ باکس کی ایک اہم جدت کلید بلاک تھی ، جس میں بینکاری کی صنعت کے دوسرے اداکاروں کے ساتھ ہم آہنگی کی چابیاں یا پن کو محفوظ طریقے سے تبادلہ کرنے کی ضرورت ہے۔ یہ محفوظ تبادلہ اٹلاعطااللہ کی بلاک (اے کے بی) فارمیٹ کا استعمال کرتے ہوئے انجام دیا جاتا ہے ، جو ادائیگی کارڈ انڈسٹری ڈیٹا سیکیورٹی اسٹینڈرڈ (پی سی آئی ڈی ایس ایس) اور امریکن نیشنل اسٹینڈرڈ انسٹی ٹیوٹ (اے این ایس آئی) کے معیار کے اندر استعمال ہونے والے تمام کریپٹوگرافک بلاک فارمیٹس کی اصل ہے۔ <ref>{{حوالہ ویب|last=Rupp|first=Martin|title=The Benefits of the Atalla Key Block|url=https://content.hsm.utimaco.com/blog/the-benefits-of-atalla-key-block|website=[[Utimaco]]|date=16 August 2019|accessdate=10 September 2019}}</ref>

اس خوف سے کہ اٹلاعطااللہ مارکیٹ پر حاوی ہوجائے گی ، بینکوں اور کریڈٹ کارڈ کمپنیوں نے بین الاقوامی معیار پر کام کرنا شروع کردیا۔ <ref name="Lazo">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=rWhiDwAAQBAJ&pg=PA284|title=Cash and Dash: How ATMs and Computers Changed Banking|last=Bátiz-Lazo|first=Bernardo|date=2018|publisher=[[اوکسفرڈ یونیورسٹی پریس]]|isbn=9780191085574|pages=284 & 311}}</ref> اس کی پن کی توثیق کا عمل بعد کے IBM 3624 کی طرح تھا ۔ <ref name="Konheim">{{حوالہ رسالہ|title=Automated teller machines: their history and authentication protocols|date=1 April 2016|url=https://slideheaven.com/automated-teller-machines-their-history-and-authentication-protocols.html|accessdate=July 22, 2019}}</ref> اٹلاعطااللہ بینکنگ مارکیٹ میں [[آئی بی ایم]] کا ابتدائی حریف تھا ، اور اسے آئی بی ایم ملازمین کے اثر و رسوخ کے طور پر حوالہ دیا گیا جو ڈیٹا انکرپشن اسٹینڈرڈ (ڈی ای ایس) پر کام کرتے تھے۔ <ref name="nist">{{حوالہ ویب|title=The Economic Impacts of NIST's Data Encryption Standard (DES) Program|url=https://www.nist.gov/sites/default/files/documents/2017/05/09/report01-2.pdf|website=[[National Institute of Standards and Technology]]|publisher=[[United States Department of Commerce]]|date=October 2001|accessdate=21 August 2019}}</ref> انفارمیشن سیکیورٹی مینجمنٹ کے پن سسٹم پر اپنے کام کے اعتراف میں ، اٹلاعطااللہ کو "فادر آف پن" <ref name="purdue">{{حوالہ ویب|title=Martin M. (John) Atalla|url=http://www.purdue.edu/uns/html3month/hondocs03/03.ATALLA.html|website=[[پرڈیو یونیورسٹی]]|year=2003|accessdate=2 October 2013}}</ref> اور انفارمیشن سیکیورٹی ٹکنالوجی کا باپ کہا جاتا ہے۔

اٹلاعطااللہ خانہ نے 1998 ء تک چلائے جانے والے تمام اے ٹی ایم نیٹ ورکوں میں سے 90 فیصد سے زیادہ کو محفوظ کیا ، <ref>{{حوالہ ویب|last=Hamscher|first=Walter|last2=MacWillson|first2=Alastair|last3=Turner|first3=Paul|title=Electronic Business without Fear : The Tristrata Security Architecture|publisher=[[پرائس واٹر ہاؤس کوپرز]]|date=1998|website=[[Semantic Scholar]]|url=https://pdfs.semanticscholar.org/6628/269799be00f3f97c15bf1aea2488afbe6c0a.pdf|accessdate=7 October 2019}}</ref> اور 2006 تک دنیا بھر میں ہونے والے تمام اے ٹی ایم ٹرانزیکشنز میں سے 85 فیصد کو حاصل کیا۔ <ref>{{حوالہ ویب|title=Portfolio Overview for Payment & GP HSMs|url=https://hsm.utimaco.com/wp-content/uploads/2018/12/20181206-Utimaco-webinar-Vision-for-Atalla-Portfolio-Overview-Payment-GP-HSMs.pdf|website=[[Utimaco]]|accessdate=22 July 2019}}</ref> اٹلاعطااللہ کی مصنوعات 2014 تک دنیا کے اے ٹی ایم لین دین کی اکثریت کو محفوظ کرتی ہیں۔ <ref name="Stiennon">{{حوالہ ویب|last=Stiennon|first=Richard|title=Key Management a Fast Growing Space|url=https://securitycurrent.com/key-management-a-fast-growing-space/|website=SecurityCurrent|publisher=IT-Harvest|accessdate=21 August 2019|date=17 June 2014}}</ref>

1972 میں ، اٹلاعطااللہ نے ریموٹ پن تصدیق کے نظام کے لئے U.S. Patent 3،938،091 دائر کیا ، جس میں ذاتی شناختی معلومات داخل کرتے وقت ٹیلیفون لنک سیکیورٹی کی یقین دہانی کے لئے [[صفریت|خفیہ کاری کی]] تکنیک کا استعمال کیا گیا تھا ، جس کی تصدیق کے لئے ٹیلی مواصلات کے نیٹ ورکس پر خفیہ کردہ ڈیٹا کے بطور کسی دور دراز مقام پر منتقل کیا جائے گا۔ یہ ٹیلیفون بینکنگ ، انٹرنیٹ سیکیورٹی اور [[ای-کامرس|ای کامرس کا پیش خیمہ تھا]] ۔ <ref name="nist">{{حوالہ ویب|title=The Economic Impacts of NIST's Data Encryption Standard (DES) Program|url=https://www.nist.gov/sites/default/files/documents/2017/05/09/report01-2.pdf|website=[[National Institute of Standards and Technology]]|publisher=[[United States Department of Commerce]]|date=October 2001|accessdate=21 August 2019}}</ref>

جنوری 1976 میں نیشنل ایسوسی ایشن آف میوچل سیونگس بینک (NAMSB) کانفرنس میں ، اٹلاعطااللہ نے اپنے شناختی نظام کو اپ گریڈ کرنے کا اعلان کیا ، جسے انٹرچینج شناختی کہا جاتا ہے۔ اس میں [[ای-کامرس|آن لائن لین دین]] پر کارروائی اور نیٹ ورک کی حفاظت سے نمٹنے کی صلاحیتوں میں اضافہ ہوا۔ بینک لین دین کو آن لائن لینے کی توجہ کے ساتھ ڈیزائن کیا گیا ، شناختی نظام کو مشترکہ سہولت سے متعلق کاموں میں بڑھایا گیا۔ یہ متناسب اور مختلف [[رزمی بدیل|سوئچنگ]] [[کمپیوٹر نیٹ ورک|نیٹ ورکس کے]] ساتھ مطابقت رکھتا تھا ، اور کارڈ ڈیٹا کی معلومات کے ذریعہ 64000 ناقابل واپسی نون لائنیر [[الخوارزم|الگورتھم میں]] سے کسی ایک کو بھی الیکٹرانک طور پر اپنے آپ کو ری سیٹ کرنے کی اہلیت رکھتا تھا۔ انٹرچینج شناختی آلہ مارچ 1976 میں جاری کیا گیا تھا۔ آن لائن ٹرانزیکشن سے نمٹنے کے لئے ڈیزائن کی جانے والی یہ پہلی پروڈکٹس میں سے ایک تھی ، اسی کے ساتھ اسی این اے ایم ایس بی کانفرنس میں بنکر ریمو کارپوریشن کی مصنوعات کی نقاب کشائی کی گئی۔ 1979 میں ، اٹلاعطااللہ نے پہلا نیٹ ورک سیکیورٹی پروسیسر (این ایس پی) متعارف کرایا۔ <ref>{{حوالہ ویب|last=Burkey|first=Darren|title=Data Security Overview|url=http://www.gtug.de/HotSpot2018/download/Presentation/C108-Burkey.pdf|publisher=[[Micro Focus]]|date=May 2018|accessdate=21 August 2019}}</ref>

1987 میں ، اٹلاعطااللہ کارپوریشن ٹینڈم کمپیوٹرز میں ضم ہوگئی۔ اٹلاعطااللہ 1990 میں ریٹائرمنٹ میں چلی گئیں۔

2013 تک ، 250 {{Spaces}} روزانہ اٹلاعطااللہ کی مصنوعات کے ذریعہ ملین کارڈ لین دین کو محفوظ کیا جاتا ہے۔ <ref name="Langford">{{حوالہ ویب|last=Langford|first=Susan|title=ATM Cash-out Attacks|url=https://h41382.www4.hpe.com/gfs-shared/20140318153228.pdf|website=[[Hewlett Packard Enterprise]]|publisher=[[Hewlett-Packard]]|year=2013|accessdate=21 August 2019}}</ref>

زیادہ دن نہیں گزرے جب تک کہ بڑے بینکوں کے کئی ایگزیکٹوز نے [[انٹرنیٹ]] کو کام کرنے کے لئے سیکیورٹی سسٹم تیار کرنے پر راضی کیا۔ وہ اس حقیقت سے پریشان تھے کہ کمپیوٹر اور نیٹ ورک سیکیورٹی کی صنعت میں جدت طرازی کے بغیر اس وقت الیکٹرانک تجارت کے لئے کوئی مفید فریم ورک ممکن نہیں ہوتا۔<ref name="purdue3">{{cite web|title=Martin M. (John) Atalla|url=http://www.purdue.edu/uns/html3month/hondocs03/03.ATALLA.html|website=[[پرڈیو یونیورسٹی]]|year=2003|accessdate=2 October 2013}}</ref> <ref name="purdue">{{حوالہ ویب|title=Martin M. (John) Atalla|url=http://www.purdue.edu/uns/html3month/hondocs03/03.ATALLA.html|website=[[پرڈیو یونیورسٹی]]|year=2003|accessdate=2 October 2013}}</ref> 1993 میں [[ویلز فارگو|ویلز فارگو بینک کے]] سابق صدر ولیم زیوینڈٹ کی درخواست کے بعد ، اٹلاعطااللہ نے ایک نئی انٹرنیٹ سکیورٹی ٹکنالوجی تیار کرنا شروع کی ، جس سے کمپنیوں کو انٹرنیٹ پر محفوظ کمپیوٹر فائلوں ، [[برقی ڈاک|ای میل]] ، اور ڈیجیٹل ویڈیو اور آڈیو کو منتشر کرنے اور منتقل کرنے کی اجازت دی گئی۔ <ref name="bizjournals3">{{cite news|title=Security guru tackles Net: Father of PIN 'unretires' to launch TriStrata|url=https://www.bizjournals.com/sanfrancisco/stories/1999/05/03/story3.html|accessdate=23 July 2019|work=[[The Business Journals]]|publisher=[[American City Business Journals]]|date=May 2, 1999}}</ref>

اٹلاعطااللہ 2003 تک A4 سسٹم کے چیئرمین تھے۔ <ref name="purdue">{{حوالہ ویب|title=Martin M. (John) Atalla|url=http://www.purdue.edu/uns/html3month/hondocs03/03.ATALLA.html|website=[[پرڈیو یونیورسٹی]]|year=2003|accessdate=2 October 2013}}</ref>

وہ [[آتھرتن، کیلیفورنیا|اطہرٹن]] ، [[کیلیفورنیا]] میں رہتا تھا۔ اٹلاعطااللہ 30 دسمبر ، 2009 کو ایتھرٹن میں انتقال کر گئیں۔ <ref>{{حوالہ ویب|last=Atalla|first=Martin M.|title=Social Security Death Index|url=http://www.genealogybank.com/gbnk/ssdi/doc/news/12DEC121F60A55D8|website=genealogybank|accessdate=22 January 2015}}</ref>

اٹلاعطااللہ کو 1975 کے فرینکلن انسٹی ٹیوٹ ایوارڈ میں اسٹیوارٹ بلینٹائن میڈل (اب طبیعیات میں بینجمن فرینکلن میڈل ) سے نوازا گیا ، سلیکن سیمیکمڈکٹر ٹکنالوجی میں ان کی اہم شراکت اور موسفٹ کی ایجاد پر۔ <ref>{{حوالہ کتاب|url=https://archive.org/details/1977yearbookofsc00lust|title=1977 Yearbook of science and the future|last=Calhoun|first=Dave|last2=Lustig|first2=Lawrence K.|date=1976|publisher=[[دائرۃ المعارف بریٹانیکا]]|isbn=9780852293195|page=[https://archive.org/details/1977yearbookofsc00lust/page/418 418]|quote=Three scientists were named recipients of the Franklin lnstitute's Stuart Ballantine Medal in 1975 [...] Martin M. Atalla, president of Atalla Technovations in California, and Dawon Kahng of Bell Laboratories were chosen "for their contributions to semiconductor silicon-silicon dioxide technology, and for the development of the MOS insulated gate, field-effect transistor.|url-access=registration}}</ref> <ref>{{حوالہ ویب|title=Martin Mohamed Atalla|url=https://www.fi.edu/laureates/martin-mohamed-atalla|website=[[Franklin Institute Awards]]|publisher=[[The Franklin Institute]]|accessdate=23 August 2019|date=14 January 2014}}</ref> 2003 میں ، اٹلاعطااللہ نے [[پرڈیو یونیورسٹی]] سے ممتاز الومینس ڈاکٹریٹ حاصل کی۔ <ref name="purdue">{{حوالہ ویب|title=Martin M. (John) Atalla|url=http://www.purdue.edu/uns/html3month/hondocs03/03.ATALLA.html|website=[[پرڈیو یونیورسٹی]]|year=2003|accessdate=2 October 2013}}</ref>

2014 میں ، MOSFET کی 1959 کی ایجاد کو الیکٹرانکس میں IEEE سنگ میل کی فہرست میں شامل کیا گیا تھا۔ <ref>{{حوالہ ویب|title=Milestones:List of IEEE Milestones|url=http://ethw.org/Milestones:List_of_IEEE_Milestones|publisher=[[انسٹی ٹیوٹ برائے الیکٹریکل اور الیکٹرانکس انجینئرز]]|accessdate=25 July 2019}}</ref> 2015 میں ، اٹلاعطااللہ کو [[اطلاعاتی ٹیکنالوجی|انفارمیشن ٹکنالوجی میں]] اہم کردار ادا کرنے پر آئی ٹی ہسٹری سوسائٹی کے آئی ٹی آنر رول میں شامل کیا گیا۔ <ref>{{حوالہ ویب|title=Dr. Martin (John) M. Atalla|url=https://www.ithistory.org/honor-roll/dr-martin-john-m-atalla|website=IT Honor Roll|publisher=[[IT History Society]]|accessdate=29 July 2019|date=21 December 2015}}</ref>

موزفائٹ نے [[نوبل انعام]] جیتنے والی کامیابیاں جیسے کوانٹم ہال اثر <ref name="Lindley">{{حوالہ رسالہ|last=Lindley|first=David|title=Focus: Landmarks—Accidental Discovery Leads to Calibration Standard|journal=[[Physics (magazine)|Physics]]|date=15 May 2015|volume=8|doi=10.1103/Physics.8.46}}</ref> اور [[بار جفتی اختراع|انچارج کے جوڑے والے آلہ]] (سی سی ڈی) کو فعال کرنے کے باوجود ، <ref name="Williams">{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=v4QlDwAAQBAJ&pg=PA245|title=The Electronics Revolution: Inventing the Future|last=Williams|first=J. B.|date=2017|publisher=Springer|isbn=9783319490885|pages=245 & 249}}</ref> خود موسیفٹ کے لئے کبھی نوبل پرائز نہیں دیا گیا تھا۔ <ref>{{حوالہ کتاب|url=https://books.google.com/books?id=sk2SrZH3xEcC&pg=PA2|title=Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs|last=Woodall|first=Jerry M.|date=2010|publisher=[[Springer Science & Business Media]]|isbn=9781441915474|page=2|author-link=Jerry Woodall}}</ref> 2018 میں ، سائنس کے نوبل انعامات دینے والی [[رائل سویڈش اکیڈمی آف سائنسز]] نے اعتراف کیا کہ اٹلاعطااللہ اور کاہنگ کے ذریعہ MOSFET کی ایجاد مائکرو الیکٹرانکس اور انفارمیشن اینڈ مواصلات ٹکنالوجی (آئی سی ٹی) کی ایک اہم ایجاد تھی۔ <ref>{{حوالہ ویب|title=Advanced information on the Nobel Prize in Physics 2000|url=https://www.nobelprize.org/uploads/2018/06/advanced-physicsprize2000.pdf|website=[[نوبل انعام]]|date=June 2018|accessdate=17 August 2019}}</ref>